三星的下一代DRAM技術(shù)即將迎來(lái)飛躍：1D工藝將于2027年問(wèn)世——這對(duì)AI內(nèi)存意味著什么
三星正悄然為存儲(chǔ)技術(shù)的下一個(gè)重大突破做準(zhǔn)備。據(jù)近期報(bào)道（消息來(lái)源：@SemiconductorsX），該公司正與合作伙伴攜手推出用于其第七代10納米級(jí)DRAM（名為“1d”）的設(shè)備，目標(biāo)是在2027年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
目前，三星最新的1c（第六代）工藝制程約為11-12納米。而新的1d工藝則將制程進(jìn)一步縮小到約10-11納米。更細(xì)的線寬意味著更高的性能、更低的功耗和更高的密度——這正是人工智能系統(tǒng)所需要的。
該公司已在內(nèi)部進(jìn)行樣品測(cè)試。目前的計(jì)劃是在2027年上半年引進(jìn)新設(shè)備，并在年底開(kāi)始實(shí)際生產(chǎn)。
這為什么重要？
這款一維DRAM有望成為三星計(jì)劃于2029年推出的高帶寬內(nèi)存HBM5E的核心芯片。HBM是數(shù)據(jù)中心中用于人工智能訓(xùn)練和推理的超高速內(nèi)存。更強(qiáng)大的制造工藝將有助于三星在蓬勃發(fā)展的人工智能內(nèi)存市場(chǎng)中保持與SK海力士的競(jìng)爭(zhēng)力。
對(duì)于普通用戶而言，這項(xiàng)新技術(shù)最終將應(yīng)用于手機(jī)、筆記本電腦和服務(wù)器，帶來(lái)更快的速度和更低的功耗。對(duì)于整個(gè)行業(yè)而言，這表明即便在內(nèi)存市場(chǎng)整體競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，三星仍在不遺余力地推進(jìn)內(nèi)存節(jié)點(diǎn)尺寸的縮小。
這是一項(xiàng)穩(wěn)健的長(zhǎng)期戰(zhàn)略。沒(méi)有突如其來(lái)的重大突破，但正是這些細(xì)微的改進(jìn)，才有助于在人工智能內(nèi)存競(jìng)賽中建立真正的領(lǐng)先地位。我們將密切關(guān)注今年年底前的最新進(jìn)展。
;){kind=link}